[1] 單結(jie)管即單結(jie)晶(jing)(jing)體(ti)管，又稱為(wei)雙基極(ji)二極(ji)管，是一種具有一個PN結(jie)和兩個歐姆電極(ji)的負阻(zu)半導體(ti)器件。常見的有陶瓷(ci)封(feng)(feng)裝和金屬殼(ke)封(feng)(feng)裝的單結(jie)晶(jing)(jing)體(ti)管。

　　[2] 單(dan)結(jie)晶體(ti)管(guan)可分為N型基極單(dan)結(jie)管(guan)和(he)P型基極單(dan)結(jie)管(guan)兩(liang)大類。單(dan)結(jie)晶體(ti)管(guan)的文(wen)字符(fu)號(hao)為“VT”，圖形符(fu)號(hao)如圖所示。

　　[3] 單(dan)結(jie)晶體管(guan)(guan)(guan)的主要參數有：① 分壓(ya)比(bi)η，指單(dan)結(jie)晶體管(guan)(guan)(guan)發射(she)(she)(she)極(ji)E至第一基(ji)(ji)極(ji)B1間(jian)的電(dian)壓(ya)(不包(bao)括PN結(jie)管(guan)(guan)(guan)壓(ya)降)在兩基(ji)(ji)極(ji)間(jian)電(dian)壓(ya)中所(suo)(suo)占的比(bi)例。② 峰(feng)點電(dian)壓(ya)UP，是指單(dan)結(jie)晶體管(guan)(guan)(guan)剛開(kai)始(shi)導通時的發射(she)(she)(she)極(ji)E與第一基(ji)(ji)極(ji)B1的電(dian)壓(ya)，其(qi)所(suo)(suo)對應的發射(she)(she)(she)極(ji)電(dian)流(liu)(liu)(liu)叫(jiao)做峰(feng)點電(dian)流(liu)(liu)(liu)IP。③ 谷點電(dian)壓(ya)UV，是指單(dan)結(jie)晶體管(guan)(guan)(guan)由負阻區開(kai)始(shi)進入飽和區時的發射(she)(she)(she)極(ji)E與第一基(ji)(ji)極(ji)B1間(jian)的電(dian)壓(ya)，其(qi)所(suo)(suo)對應的發射(she)(she)(she)極(ji)電(dian)流(liu)(liu)(liu)叫(jiao)做谷點電(dian)流(liu)(liu)(liu)IV。

　　[4] 單結(jie)(jie)晶體管共有三個管腳，分別是：發(fa)射極(ji)E、第一基極(ji)B1和第二基極(ji)B2。圖示為(wei)兩種典型(xing)單結(jie)(jie)晶體管的管腳電極(ji)。

　　[5] 單結晶體管(guan)最(zui)重要的(de)(de)特性(xing)是具有(you)負阻性(xing)，其基本工作原理如圖示(shi)(以N基極(ji)(ji)單結管(guan)為例)。當(dang)發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)電(dian)(dian)壓UE大于峰點電(dian)(dian)壓UP時，PN結處于正(zheng)向(xiang)偏置(zhi)，單結管(guan)導(dao)(dao)通。隨(sui)著發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流IE的(de)(de)增(zeng)加，大量空穴從發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)注入硅晶體，導(dao)(dao)致發(fa)(fa)射(she)極(ji)(ji)與第一基極(ji)(ji)間(jian)(jian)的(de)(de)電(dian)(dian)阻急劇減(jian)小(xiao)，其間(jian)(jian)的(de)(de)電(dian)(dian)位也就減(jian)小(xiao)，呈現出負阻特性(xing)。

　　[6] 檢(jian)測單結晶(jing)體管(guan)時(shi)，萬(wan)用表置于“R×1k”擋(dang)，檢(jian)測兩(liang)(liang)基極(ji)間電(dian)阻：兩(liang)(liang)表筆(不分正、負)接單結晶(jing)體管(guan)除發射極(ji)E以(yi)外的兩(liang)(liang)個管(guan)腳，讀數(shu)應(ying)為3～10kΩ。

　　[7] 檢測(ce)PN結(jie)正向電阻(zu)(N基(ji)極管(guan)為例，下(xia)同)：黑(hei)表(biao)(biao)筆接發射極E，紅表(biao)(biao)筆分(fen)別接兩個基(ji)極，讀數(shu)均應(ying)為數(shu)千歐。對調(diao)兩表(biao)(biao)筆后檢測(ce)PN結(jie)反向電阻(zu)，讀數(shu)均應(ying)為無窮大。如(ru)果測(ce)量(liang)結(jie)果與上述不符，說(shuo)明被測(ce)單結(jie)管(guan)已損(sun)壞。

　　[8] 測量(liang)單(dan)結(jie)晶體管的(de)分壓比η：按(an)圖示搭接一個(ge)測量(liang)電(dian)路，用萬(wan)用表“直流10V”擋測出C2上的(de)電(dian)壓UC2，再按(an)公(gong)式η=UC2/UB計(ji)算即可。

　　[9] 單結晶體管(guan)的(de)基(ji)(ji)本(ben)應用(yong)是(shi)組成脈沖(chong)產生電路(lu)，包(bao)括(kuo)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)(qi)、波(bo)(bo)形發(fa)生器(qi)(qi)等，并可(ke)使電路(lu)結構(gou)大(da)為(wei)(wei)簡化。圖示為(wei)(wei)單結晶體管(guan)弛張(zhang)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)(qi)。單結管(guan)VT的(de)發(fa)射極(ji)輸(shu)出(chu)(chu)鋸(ju)齒波(bo)(bo)，第(di)一基(ji)(ji)極(ji)輸(shu)出(chu)(chu)窄脈沖(chong)，第(di)二基(ji)(ji)極(ji)輸(shu)出(chu)(chu)方波(bo)(bo)。RE與C組成充放電回(hui)路(lu)，改(gai)變(bian)RE或(huo)C即可(ke)改(gai)變(bian)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)周(zhou)期。該電路(lu)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)周(zhou)期T≈REC ln[1/(1-η)]，式中，ln為(wei)(wei)自然對數，即以e(2.718)為(wei)(wei)底的(de)對數。

　　[10] 單(dan)結晶體管還可以用作(zuo)晶閘(zha)管觸(chu)發(fa)電(dian)路(lu)。圖示為(wei)調(diao)(diao)光臺燈(deng)電(dian)路(lu)。在交流(liu)電(dian)的每(mei)半周內，晶閘(zha)管VS由單(dan)結管VT輸出的窄(zhai)脈沖觸(chu)發(fa)導(dao)(dao)通，調(diao)(diao)節RP便改(gai)變(bian)了VT輸出窄(zhai)脈沖的時(shi)間(jian)，即改(gai)變(bian)了VS的導(dao)(dao)通角(jiao)，從而改(gai)變(bian)了流(liu)過燈(deng)泡EL的電(dian)流(liu)，實現了調(diao)(diao)光的目的。

　　[11] 晶(jing)(jing)體閘(zha)(zha)(zha)流(liu)管(guan)簡(jian)稱為晶(jing)(jing)閘(zha)(zha)(zha)管(guan)，也叫做可(ke)控(kong)硅，是一種具有三個PN結(jie)的功率型半導體器件。常(chang)見的晶(jing)(jing)閘(zha)(zha)(zha)管(guan)有塑(su)封式、陶瓷封裝(zhuang)式、金屬殼封裝(zhuang)式和大功率螺栓式等形(xing)狀。晶(jing)(jing)體閘(zha)(zha)(zha)流(liu)管(guan)可(ke)分為：單向晶(jing)(jing)閘(zha)(zha)(zha)管(guan)、雙向晶(jing)(jing)閘(zha)(zha)(zha)管(guan)、可(ke)關斷晶(jing)(jing)閘(zha)(zha)(zha)管(guan)等多種。

　　[12] 晶體(ti)閘(zha)流(liu)管的文字符號為(wei)“VS”，圖形符號如圖示。晶閘(zha)管的主要(yao)參(can)數有(you)：額(e)定通態平均(jun)電流(liu)、正(zheng)反向阻斷峰值電壓(ya)、維持(chi)電流(liu)、控制極(ji)觸發電壓(ya)和電流(liu)等。使用時應(ying)注(zhu)意不能(neng)超過其極(ji)限參(can)數指標(biao)，并留有(you)一定余量，以(yi)免造(zao)成器件損(sun)壞。

　　[13] 晶閘(zha)管具有三(san)個(ge)電(dian)極。單向(xiang)晶閘(zha)管的三(san)個(ge)電(dian)極是：陽(yang)極A、陰極K、控(kong)制極G。雙向(xiang)晶閘(zha)管的三(san)個(ge)電(dian)極是：兩個(ge)主電(dian)極T1、T2以及控(kong)制極G。使用中應注意識別。

　　[14] 晶閘(zha)(zha)管(guan)(guan)具有可(ke)(ke)控(kong)(kong)的單(dan)向導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)性，即(ji)不(bu)但具有一般二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)單(dan)向導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)的整流(liu)(liu)作用，而且(qie)可(ke)(ke)以對(dui)導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)電(dian)流(liu)(liu)進行控(kong)(kong)制。單(dan)向晶閘(zha)(zha)管(guan)(guan)是(shi)PNPN四層結構，形成(cheng)三(san)個(ge)PN結，具有三(san)個(ge)外電(dian)極(ji)(ji)(ji)A、K和G，可(ke)(ke)等(deng)(deng)效為PNP、NPN兩(liang)(liang)晶體管(guan)(guan)組(zu)成(cheng)的復合(he)管(guan)(guan)，見圖14左邊(bian)。在A、K間(jian)加上(shang)正向電(dian)壓后，管(guan)(guan)子并不(bu)導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)。此時(shi)在控(kong)(kong)制極(ji)(ji)(ji)G加上(shang)正電(dian)壓時(shi)，VT1、VT2相(xiang)繼迅速導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)，此時(shi)即(ji)使去掉控(kong)(kong)制極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓，管(guan)(guan)子仍維持導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)狀態。雙向晶閘(zha)(zha)管(guan)(guan)可(ke)(ke)以等(deng)(deng)效為兩(liang)(liang)個(ge)單(dan)向晶閘(zha)(zha)管(guan)(guan)反向并聯(lian)，見圖14右邊(bian)，雙向晶閘(zha)(zha)管(guan)(guan)可(ke)(ke)以控(kong)(kong)制雙向導(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)(tong)，因(yin)此除控(kong)(kong)制極(ji)(ji)(ji)G外的另(ling)兩(liang)(liang)個(ge)電(dian)極(ji)(ji)(ji)不(bu)再分陽極(ji)(ji)(ji)陰極(ji)(ji)(ji)，而稱之為主電(dian)極(ji)(ji)(ji)T1、T2。

　　[15] 檢測單向(xiang)晶(jing)閘(zha)管(guan)：萬用表(biao)置于“R×10Ω”擋，黑表(biao)筆接(jie)(jie)控制極(ji)(ji)G，紅表(biao)筆接(jie)(jie)陰極(ji)(ji)K，測量(liang)(liang)其正向(xiang)電阻(zu)，應有較小的(de)阻(zu)值。對調兩(liang)表(biao)筆測其反(fan)向(xiang)電阻(zu)，應比正向(xiang)電阻(zu)明(ming)顯大一些。測量(liang)(liang)控制極(ji)(ji)G與陽極(ji)(ji)A之間的(de)正、反(fan)向(xiang)電阻(zu)，均(jun)(jun)應為(wei)無窮大。這(zhe)是因(yin)為(wei)G、A間為(wei)兩(liang)個PN結反(fan)向(xiang)串聯(lian)，不論正、反(fan)向(xiang)均(jun)(jun)不應導通，否則晶(jing)閘(zha)管(guan)已壞。

　　[16] 檢(jian)測雙向晶閘管：萬用表置于(yu)“R×1Ω”擋，兩(liang)表筆測量控(kong)制(zhi)極G與主(zhu)電(dian)極T1間(jian)(jian)的正(zheng)、反向電(dian)阻，均應為(wei)較小阻值。測量控(kong)制(zhi)極G與主(zhu)電(dian)極T2間(jian)(jian)的正(zheng)、反向電(dian)阻，均應為(wei)無窮大。

　　[17] 檢測(ce)單向(xiang)晶閘(zha)管(guan)(guan)導通(tong)特性：萬用(yong)表(biao)(biao)(biao)置于“R×1Ω”擋，黑(hei)(hei)表(biao)(biao)(biao)筆接(jie)陽(yang)極(ji)(ji)(ji)A，紅表(biao)(biao)(biao)筆接(jie)陰極(ji)(ji)(ji)K，表(biao)(biao)(biao)針(zhen)指(zhi)示應(ying)為無窮(qiong)大。用(yong)螺(luo)絲刀等金屬物將控(kong)制極(ji)(ji)(ji)G與陽(yang)極(ji)(ji)(ji)A短(duan)接(jie)一下(xia)(短(duan)接(jie)后即(ji)斷開)，表(biao)(biao)(biao)針(zhen)應(ying)向(xiang)右(you)偏轉(zhuan)并保(bao)(bao)持(chi)在十幾歐姆(mu)處。檢測(ce)雙向(xiang)晶閘(zha)管(guan)(guan)導通(tong)特性：黑(hei)(hei)表(biao)(biao)(biao)筆接(jie)主電(dian)極(ji)(ji)(ji)T1，紅表(biao)(biao)(biao)筆接(jie)主電(dian)極(ji)(ji)(ji)T2，表(biao)(biao)(biao)針(zhen)指(zhi)示應(ying)為無窮(qiong)大。將控(kong)制極(ji)(ji)(ji)G與主電(dian)極(ji)(ji)(ji)T2短(duan)接(jie)一下(xia)，表(biao)(biao)(biao)針(zhen)應(ying)向(xiang)右(you)偏轉(zhuan)并保(bao)(bao)持(chi)在十幾歐姆(mu)處。如不符合上述情況則(ze)說明晶閘(zha)管(guan)(guan)已損壞(huai)。

　　[18] 晶(jing)閘管具有以小電(dian)(dian)流(電(dian)(dian)壓(ya))控(kong)制大電(dian)(dian)流(電(dian)(dian)壓(ya))的(de)作用(yong)，并具有體積(ji)小、重量(liang)輕、功耗低、效率高、開關(guan)速度快等優點，在(zai)無觸(chu)點開關(guan)、可控(kong)整流、逆變、調(diao)光(guang)、調(diao)壓(ya)、調(diao)速等方面得到(dao)廣(guang)泛(fan)的(de)應用(yong)。圖示為晶(jing)閘管無觸(chu)點開關(guan)控(kong)制的(de)報(bao)(bao)(bao)警器電(dian)(dian)路，當探頭檢測到(dao)異常情況時，輸出一正脈沖至控(kong)制極G，晶(jing)閘管VS導通(tong)使報(bao)(bao)(bao)警器報(bao)(bao)(bao)警，直至有關(guan)人員(yuan)到(dao)場并切斷開關(guan)S才停(ting)止報(bao)(bao)(bao)警。

　　[19] 雙向(xiang)晶閘(zha)管可(ke)以用作交(jiao)流(liu)調壓(ya)器。圖示電路中，RP、R和C組成充(chong)放電回(hui)路，C上(shang)電壓(ya)作為雙向(xiang)晶閘(zha)管VS的(de)觸發電壓(ya)。調節RP可(ke)改(gai)變(bian)C的(de)充(chong)電時間，也就改(gai)變(bian)了VS的(de)導通角，達(da)到交(jiao)流(liu)調壓(ya)的(de)目的(de)。

　　[20] 普通(tong)晶(jing)(jing)閘(zha)管導通(tong)后(hou)控(kong)制極即(ji)不(bu)起作用，要關(guan)斷必須切斷電(dian)源，使流(liu)(liu)過晶(jing)(jing)閘(zha)管的正(zheng)(zheng)向電(dian)流(liu)(liu)小于維持電(dian)流(liu)(liu)。可(ke)關(guan)斷晶(jing)(jing)閘(zha)管克服了上(shang)(shang)述(shu)缺陷，當(dang)控(kong)制極G加上(shang)(shang)正(zheng)(zheng)脈沖電(dian)壓時(shi)晶(jing)(jing)閘(zha)管導通(tong)，當(dang)控(kong)制極G加上(shang)(shang)負脈沖電(dian)壓時(shi)晶(jing)(jing)閘(zha)管關(guan)斷。