紫外吸收光譜UV

　　分析原理：吸收紫外(wai)光(guang)能量，引起分子中電子能級的躍遷

　　譜圖(tu)的(de)表示方法：相對吸收光能(neng)量(liang)隨吸收光波(bo)長(chang)的(de)變化

　　提供(gong)的信(xin)息：吸(xi)收峰的位置、強度(du)和形(xing)狀，提供(gong)分(fen)子(zi)中不同電子(zi)結構的信(xin)息

　　熒光光譜法FS

　　分(fen)析原(yuan)理(li)：被(bei)電磁(ci)輻射(she)激(ji)發(fa)后，從(cong)最(zui)低(di)單(dan)線激(ji)發(fa)態回(hui)到單(dan)線基態，發(fa)射(she)熒光

　　譜圖的表示方(fang)法(fa)：發射(she)的熒光(guang)能(neng)量隨光(guang)波(bo)長的變(bian)化

　　提供的信息：熒光(guang)效率(lv)和壽命，提供分子(zi)中(zhong)不同電子(zi)結構的信息

　　紅外吸收光譜法IR

　　分(fen)析原理：吸收紅外光(guang)能(neng)(neng)量，引起具有偶(ou)極矩變化的分(fen)子(zi)的振動、轉動能(neng)(neng)級躍遷

　　譜圖的表(biao)示方法：相對(dui)透射(she)光能量隨透射(she)光頻率變化

　　提(ti)供(gong)的(de)(de)信(xin)息(xi)：峰的(de)(de)位置、強度和形狀，提(ti)供(gong)功(gong)能團(tuan)或化學鍵(jian)的(de)(de)特(te)征振動頻率

　　拉曼光譜法Ram

　　分(fen)(fen)析原理：吸(xi)收光(guang)能后(hou)，引起具有極化(hua)率變化(hua)的分(fen)(fen)子振(zhen)動(dong)，產生(sheng)拉曼散射

　　譜圖的(de)表示方法：散射(she)光能量隨拉曼位移的(de)變化

　　提供(gong)的信息：峰的位置、強度和形狀(zhuang)，提供(gong)功能團或(huo)化學(xue)鍵的特(te)征振動頻率

　　核磁共振波譜法NMR

　　分析原理：在(zai)外磁場中(zhong)，具有核磁矩的原子核，吸收射頻能(neng)量(liang)，產生核自旋能(neng)級的躍(yue)遷(qian)

　　譜(pu)圖的表示方法(fa)：吸收光能(neng)量隨化(hua)學位移(yi)的變化(hua)

　　提供(gong)的(de)信(xin)息：峰(feng)的(de)化(hua)學位移、強(qiang)度、裂(lie)分(fen)數(shu)和(he)偶合常數(shu)，提供(gong)核(he)的(de)數(shu)目(mu)、所處化(hua)學環境和(he)幾何(he)構(gou)型的(de)信(xin)息

　　電子順磁共振波譜法ESR

　　分析原理：在外(wai)磁(ci)場中，分子中未(wei)成對電(dian)子吸收射頻能量，產生電(dian)子自旋能級(ji)躍遷

　　譜圖的表示方(fang)法：吸收(shou)光能量或(huo)微分能量隨(sui)磁場強(qiang)度變化

　　提(ti)供的(de)信息(xi)：譜線(xian)位(wei)置、強度、裂分(fen)數(shu)目和超精(jing)細分(fen)裂常數(shu)，提(ti)供未成對電子密度、分(fen)子鍵特性及幾(ji)何構型信息(xi)

　　質譜分析法MS

　　分(fen)(fen)析原理：分(fen)(fen)子(zi)(zi)在(zai)真空中被電(dian)子(zi)(zi)轟擊，形成(cheng)離子(zi)(zi)，通過(guo)電(dian)磁場按不同m/e分(fen)(fen)離

 　　譜圖的(de)表示(shi)方法：以棒圖形式表示(shi)離子的(de)相對峰度隨m/e的(de)變化(hua)

　　提供的信息(xi)：分(fen)子(zi)離(li)子(zi)及碎(sui)片離(li)子(zi)的質量數(shu)及其(qi)相對峰度，提供分(fen)子(zi)量，元素組成及結構的信息(xi)

　　氣相色譜法GC

　　分析(xi)原理：樣(yang)品中各組分在流動相(xiang)和固(gu)定相(xiang)之間，由于分配系(xi)數不同而分離

　　譜圖的表(biao)示方法：柱后流(liu)出物濃度隨保留值的變化

　　提供的信(xin)息：峰(feng)的保留值與組分(fen)熱力學(xue)參數有關(guan)，是定性依(yi)據;峰(feng)面積與組分(fen)含量有關(guan)

　　反氣相色譜法IGC

 　　分(fen)(fen)析原理：探針分(fen)(fen)子保留值(zhi)的變(bian)化(hua)取決于它(ta)和作(zuo)為固定相的聚合物樣品之間的相互作(zuo)用(yong)力

　　譜圖的表(biao)示方法：探針分(fen)子比保留(liu)體積(ji)的對數值隨(sui)柱溫(wen)倒數的變(bian)化曲線

　　提(ti)供的(de)(de)信息：探針分子保(bao)留值與溫度的(de)(de)關系提(ti)供聚合物的(de)(de)熱力(li)學(xue)參數

　　裂解氣相色譜法PGC

　　分(fen)析原理(li)：高分(fen)子材料在一定條件下瞬(shun)間裂解，可獲(huo)得具有一定特征的碎片

　　譜圖(tu)的表示方法(fa)：柱后流出物濃度隨保留值(zhi)的變化(hua)

　　提供的信息：譜(pu)圖的指紋性或特(te)征碎片峰，表征聚合(he)物的化學結構和幾何(he)構型

　　凝膠色譜法GPC

　　分(fen)(fen)析原理：樣品(pin)通過凝膠柱時，按分(fen)(fen)子(zi)的流體力學(xue)體積(ji)不同進行分(fen)(fen)離，大分(fen)(fen)子(zi)先流出(chu)

　　譜圖的(de)表示(shi)方法：柱后流出物濃度隨保留值的(de)變化(hua)

　　提(ti)供的信(xin)息：高聚物的平(ping)均分子量及(ji)其分布

　　熱重法TG

　　分析原理：在控溫環境中，樣品重量(liang)隨溫度(du)或時間變化(hua)

　　譜(pu)圖的表示(shi)方(fang)法(fa)：樣(yang)品的重量分數隨溫度(du)或時間(jian)的變化曲線

　　提供的信息：曲線(xian)陡降(jiang)處為樣品失重(zhong)區，平臺區為樣品的熱穩定區

　　熱差分析DTA

　　分(fen)析(xi)原理：樣品與(yu)參比物處于同一控溫環境(jing)(jing)中，由于二者導熱系數(shu)不(bu)同產(chan)生(sheng)溫差，記錄溫度隨環境(jing)(jing)溫度或(huo)時間的變化(hua)

　　譜圖(tu)的表示方法：溫(wen)差(cha)隨(sui)環境(jing)溫(wen)度(du)或(huo)時間的變化曲線(xian)

　　提供的信息(xi)：提供聚(ju)合物熱轉(zhuan)變溫度及各種熱效應的信息(xi)

　　TG-DTA圖

　　示差掃描量熱分析DSC

　　分析(xi)原理：樣品與參比物處于同一控(kong)溫環境中，記(ji)錄維持溫差為零(ling)時(shi)，所需能量隨環境溫度或時(shi)間的變化

　　譜圖的表示方法(fa)：熱(re)量或其變(bian)化(hua)(hua)率隨環境溫度或時間的變(bian)化(hua)(hua)曲線(xian)

　　提(ti)供的信(xin)息：提(ti)供聚合(he)物熱轉(zhuan)變溫度及(ji)各種熱效應的信(xin)息

　　靜態熱―力分析TMA

　　分析(xi)原理(li)：樣品(pin)在恒力作用下產(chan)生的形變(bian)隨溫度或時間變(bian)化(hua)

　　譜圖的表示(shi)方法(fa)：樣(yang)品形變值(zhi)隨溫度或時間變化曲(qu)線

　　提供的(de)信息：熱轉變溫(wen)度和力學狀態

　　動態熱―力分析DMA

　　分析原理(li)：樣品在周期性變化(hua)的外(wai)力作(zuo)用下(xia)產生的形(xing)變隨溫度的變化(hua)

　　譜(pu)圖的表(biao)示方(fang)法：模量或(huo)tgδ隨溫度(du)變(bian)化(hua)曲(qu)線

　　提供的信(xin)息(xi)：熱轉變溫度模(mo)量和(he)tgδ

　　透射電子顯微術TEM

　　分(fen)析(xi)原理：高能電子束(shu)穿透試樣時發生散射、吸收、干涉和衍(yan)射，使得在相平(ping)面形成襯度，顯(xian)示出(chu)圖(tu)象

　　譜圖的(de)表示方法：質厚襯(chen)度象、明場(chang)衍襯(chen)象、暗(an)場(chang)衍襯(chen)象、晶(jing)格條紋象、和分子象

　　提供(gong)的信息：晶體形貌(mao)、分子量分布、微孔(kong)尺寸(cun)分布、多(duo)相結(jie)構和晶格與缺(que)陷等

　　掃描電子顯微術SEM

 　　分析原理：用電子技(ji)術檢測高(gao)能電子束與(yu)樣品(pin)作(zuo)用時產生二(er)次(ci)電子、背散射電子、吸收(shou)電子、X射線等(deng)并放(fang)大成象

　　譜圖的表(biao)示方法：背散射象、二次電(dian)子象、吸收電(dian)流象、元素的線分布(bu)和面分布(bu)等

　　提供的信息(xi)：斷口形貌、表面顯微(wei)結構、薄(bo)膜內(nei)部的顯微(wei)結構、微(wei)區元(yuan)素(su)分析與(yu)定量元(yuan)素(su)分析等(deng)

　　原子吸收AAS

 　　原(yuan)理：通過原(yuan)子(zi)化器將待測試樣原(yuan)子(zi)化，待測原(yuan)子(zi)吸收待測元素(su)空心陰(yin)極燈的光，從而使(shi)用檢(jian)測器檢(jian)測到(dao)的能量變低，從而得(de)到(dao)吸光度(du)。吸光度(du)與(yu)待測元素(su)的濃(nong)度(du)成正比。

　　(Inductivecouplinghighfrequencyplasma)電感耦合高頻等離子體(ti)ICP

　　原理：利用氬等離(li)子(zi)體產(chan)生的(de)(de)高溫使用試樣完全(quan)分(fen)解形成激發(fa)態(tai)(tai)的(de)(de)原子(zi)和離(li)子(zi)，由于激發(fa)態(tai)(tai)的(de)(de)原子(zi)和離(li)子(zi)不穩定，外層電(dian)子(zi)會從激發(fa)態(tai)(tai)向低的(de)(de)能(neng)級躍(yue)遷，因此發(fa)射出特征的(de)(de)譜線。通過光(guang)柵等分(fen)光(guang)后，利用檢測器檢測特定波長的(de)(de)強度(du)(du)，光(guang)的(de)(de)強度(du)(du)與待(dai)測元素濃度(du)(du)成正比。

　　X-raydiffraction,x射線衍射即XRD

　　X射(she)(she)線(xian)是原子(zi)內層電(dian)子(zi)在高速(su)運動電(dian)子(zi)的(de)(de)轟擊下躍遷而產(chan)生(sheng)的(de)(de)光(guang)輻(fu)射(she)(she)，主要有連續X射(she)(she)線(xian)和特征(zheng)X射(she)(she)線(xian)兩種。晶體可被用(yong)(yong)作X光(guang)的(de)(de)光(guang)柵(zha)，這(zhe)些很大(da)數目(mu)的(de)(de)原子(zi)或離子(zi)/分子(zi)所產(chan)生(sheng)的(de)(de)相干散(san)射(she)(she)將會發生(sheng)光(guang)的(de)(de)干涉作用(yong)(yong)，從而影(ying)響散(san)射(she)(she)的(de)(de)X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)強(qiang)度增強(qiang)或減弱。由于大(da)量原子(zi)散(san)射(she)(she)波的(de)(de)疊加，互(hu)相干涉而產(chan)生(sheng)最(zui)大(da)強(qiang)度的(de)(de)光(guang)束稱(cheng)為X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)衍射(she)(she)線(xian)。

　　滿足衍射條件，可應用布拉格公式：2dsinθ=λ

　　應用已知(zhi)波長的(de)X射(she)線來測量θ角，從(cong)(cong)而(er)(er)計(ji)算出晶(jing)(jing)面間距d，這(zhe)是用于X射(she)線結(jie)構分(fen)析;另一個是應用已知(zhi)d的(de)晶(jing)(jing)體來測量θ角，從(cong)(cong)而(er)(er)計(ji)算出特征X射(she)線的(de)波長，進而(er)(er)可在(zai)已有資料查出試樣中所含的(de)元素。

　　高效毛細管電泳(highperformancecapillaryelectrophoresis，HPCE)

　　CZE的基本原理

　　HPLC選用的(de)(de)(de)毛(mao)細管(guan)(guan)(guan)(guan)一般(ban)內徑約為(wei)50μm(20～200μm)，外徑為(wei)375μm，有(you)(you)效(xiao)長度(du)(du)為(wei)50cm(7～100cm)。毛(mao)細管(guan)(guan)(guan)(guan)兩端分(fen)(fen)別(bie)浸入兩分(fen)(fen)開的(de)(de)(de)緩沖液(ye)中(zhong)，同時(shi)兩緩沖液(ye)中(zhong)分(fen)(fen)別(bie)插(cha)入連(lian)有(you)(you)高壓(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極，該電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)使(shi)得分(fen)(fen)析(xi)(xi)樣(yang)品(pin)沿毛(mao)細管(guan)(guan)(guan)(guan)遷(qian)(qian)移(yi)(yi)(yi)，當(dang)分(fen)(fen)離樣(yang)品(pin)通過檢測(ce)器時(shi)，可對樣(yang)品(pin)進(jin)(jin)行分(fen)(fen)析(xi)(xi)處(chu)理。HPLC進(jin)(jin)樣(yang)一般(ban)采用電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)動力學進(jin)(jin)樣(yang)(低電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya))或流體力學進(jin)(jin)樣(yang)(壓(ya)力或抽吸)兩種(zhong)方式。在(zai)毛(mao)細管(guan)(guan)(guan)(guan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳系(xi)統中(zhong)，帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)溶(rong)質在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作用下(xia)發生定向遷(qian)(qian)移(yi)(yi)(yi)，其表觀(guan)遷(qian)(qian)移(yi)(yi)(yi)速(su)(su)度(du)(du)是溶(rong)質遷(qian)(qian)移(yi)(yi)(yi)速(su)(su)度(du)(du)與溶(rong)液(ye)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲(shen)流速(su)(su)度(du)(du)的(de)(de)(de)矢量和。所謂電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲(shen)是指(zhi)在(zai)高電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)作用下(xia)，雙(shuang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)層中(zhong)的(de)(de)(de)水合陰離子(zi)引起流體整(zheng)體地朝負(fu)(fu)極方向移(yi)(yi)(yi)動的(de)(de)(de)現(xian)象(xiang)(xiang);電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳是指(zhi)在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解質溶(rong)液(ye)中(zhong)，帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)粒子(zi)在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作用下(xia)，以不同的(de)(de)(de)速(su)(su)度(du)(du)向其所帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)相反方向遷(qian)(qian)移(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)現(xian)象(xiang)(xiang)。溶(rong)質的(de)(de)(de)遷(qian)(qian)移(yi)(yi)(yi)速(su)(su)度(du)(du)由其所帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)數和分(fen)(fen)子(zi)量大小(xiao)決定，另外還受緩沖液(ye)的(de)(de)(de)組成、性質、pH值等多種(zhong)因素影響(xiang)。帶(dai)正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)的(de)(de)(de)組份(fen)(fen)沿毛(mao)細管(guan)(guan)(guan)(guan)壁形成有(you)(you)機雙(shuang)層向負(fu)(fu)極移(yi)(yi)(yi)動，帶(dai)負(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)的(de)(de)(de)組分(fen)(fen)被分(fen)(fen)配(pei)至毛(mao)細管(guan)(guan)(guan)(guan)近中(zhong)區域，在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作用下(xia)向正(zheng)極移(yi)(yi)(yi)動。與此同時(shi)，緩沖液(ye)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲(shen)流向負(fu)(fu)極移(yi)(yi)(yi)動，其作用超過電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳，最終導致帶(dai)正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)、中(zhong)性電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)、負(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)的(de)(de)(de)組份(fen)(fen)依次通過檢測(ce)器。

　　MECC的基本原理

　　MECC是(shi)在(zai)(zai)(zai)CZE基(ji)礎(chu)上使用(yong)表面活性劑來(lai)充當(dang)膠(jiao)(jiao)束(shu)(shu)(shu)相(xiang)，以膠(jiao)(jiao)束(shu)(shu)(shu)增溶作為分(fen)(fen)配(pei)原(yuan)理，溶質在(zai)(zai)(zai)水(shui)相(xiang)、膠(jiao)(jiao)束(shu)(shu)(shu)相(xiang)中(zhong)(zhong)的(de)(de)分(fen)(fen)配(pei)系數(shu)不(bu)同(tong)，在(zai)(zai)(zai)電(dian)場作用(yong)下(xia)，毛(mao)細(xi)管中(zhong)(zhong)溶液的(de)(de)電(dian)滲流和(he)膠(jiao)(jiao)束(shu)(shu)(shu)的(de)(de)電(dian)泳(yong)，使膠(jiao)(jiao)束(shu)(shu)(shu)和(he)水(shui)相(xiang)有不(bu)同(tong)的(de)(de)遷移(yi)速度，同(tong)時待(dai)分(fen)(fen)離(li)物(wu)質在(zai)(zai)(zai)水(shui)相(xiang)和(he)膠(jiao)(jiao)束(shu)(shu)(shu)相(xiang)中(zhong)(zhong)被多(duo)次分(fen)(fen)配(pei)，在(zai)(zai)(zai)電(dian)滲流和(he)這種分(fen)(fen)配(pei)過程的(de)(de)雙重作用(yong)下(xia)得以分(fen)(fen)離(li)。MECC是(shi)電(dian)泳(yong)技術與色(se)譜法的(de)(de)結合，適合同(tong)時分(fen)(fen)離(li)分(fen)(fen)析中(zhong)(zhong)性和(he)帶電(dian)的(de)(de)樣品分(fen)(fen)子。

　　掃描隧道顯微鏡(STM)

　　掃描隧道顯微鏡(STM)的(de)基本(ben)原(yuan)理是(shi)利(li)用量(liang)子(zi)(zi)理論(lun)中(zhong)的(de)隧道效應。將原(yuan)子(zi)(zi)線(xian)度的(de)極(ji)細探針(zhen)和被研(yan)究(jiu)物(wu)質的(de)表面作(zuo)(zuo)為兩個電(dian)極(ji)，當樣(yang)品與針(zhen)尖的(de)距(ju)離非常接近(jin)時(通(tong)常小于1nm)，在外加電(dian)場的(de)作(zuo)(zuo)用下(xia)，電(dian)子(zi)(zi)會穿過兩個電(dian)極(ji)之(zhi)間的(de)勢壘(lei)流(liu)向(xiang)另一電(dian)極(ji)。這種現(xian)象即是(shi)隧道效應。

　　原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscopy，簡稱AFM)

　　原(yuan)(yuan)子力(li)顯微(wei)(wei)(wei)鏡的(de)(de)工作原(yuan)(yuan)理就是將探(tan)(tan)針裝在一(yi)彈性微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)一(yi)端，微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)另一(yi)端固定，當探(tan)(tan)針在樣(yang)(yang)品(pin)表面(mian)掃描時，探(tan)(tan)針與樣(yang)(yang)品(pin)表面(mian)原(yuan)(yuan)子間(jian)的(de)(de)排(pai)斥力(li)會使得微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)臂(bei)輕微(wei)(wei)(wei)變(bian)(bian)形(xing)，這樣(yang)(yang)，微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)輕微(wei)(wei)(wei)變(bian)(bian)形(xing)就可(ke)以作為(wei)探(tan)(tan)針和樣(yang)(yang)品(pin)間(jian)排(pai)斥力(li)的(de)(de)直接量(liang)度。一(yi)束激光經(jing)微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)背面(mian)反射到光電檢測(ce)(ce)器，可(ke)以精確測(ce)(ce)量(liang)微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)小變(bian)(bian)形(xing)，這樣(yang)(yang)就實(shi)現了通過檢測(ce)(ce)樣(yang)(yang)品(pin)與探(tan)(tan)針之間(jian)的(de)(de)原(yuan)(yuan)子排(pai)斥力(li)來(lai)反映樣(yang)(yang)品(pin)表面(mian)形(xing)貌和其他表面(mian)結構。

　　俄歇電子能譜學(Augerelectronspectroscopy)，簡稱AES

　　俄(e)歇(xie)電(dian)(dian)子(zi)(zi)能譜基(ji)本原(yuan)理：入射(she)(she)電(dian)(dian)子(zi)(zi)束和物質作用，可(ke)以(yi)激發(fa)出(chu)(chu)原(yuan)子(zi)(zi)的(de)(de)內層(ceng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)。外層(ceng)電(dian)(dian)子(zi)(zi)向內層(ceng)躍遷過程中所釋放的(de)(de)能量，可(ke)能以(yi)X光的(de)(de)形式(shi)放出(chu)(chu)，即產生特征(zheng)X射(she)(she)線(xian)，也可(ke)能又使核外另一電(dian)(dian)子(zi)(zi)激發(fa)成為(wei)(wei)自由電(dian)(dian)子(zi)(zi)，這種自由電(dian)(dian)子(zi)(zi)就是俄(e)歇(xie)電(dian)(dian)子(zi)(zi)。對(dui)于(yu)(yu)一個原(yuan)子(zi)(zi)來說,激發(fa)態原(yuan)子(zi)(zi)在釋放能量時只能進行(xing)一種發(fa)射(she)(she)：特征(zheng)X射(she)(she)線(xian)或俄(e)歇(xie)電(dian)(dian)子(zi)(zi)。原(yuan)子(zi)(zi)序數大(da)(da)的(de)(de)元素(su)，特征(zheng)X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)發(fa)射(she)(she)幾(ji)率(lv)較大(da)(da)，原(yuan)子(zi)(zi)序數小的(de)(de)元素(su)，俄(e)歇(xie)電(dian)(dian)子(zi)(zi)發(fa)射(she)(she)幾(ji)率(lv)較大(da)(da)，當原(yuan)子(zi)(zi)序數為(wei)(wei)33時，兩種發(fa)射(she)(she)幾(ji)率(lv)大(da)(da)致相等。因(yin)此，俄(e)歇(xie)電(dian)(dian)子(zi)(zi)能譜適用于(yu)(yu)輕元素(su)的(de)(de)分析。